II-VI 族多元 ( 三元及三元以上 ) 化合物半导体晶体是一类非常重要的光电子材料，多为闪锌矿结构，具有直接跃迁型能带结构。 可以通过掺入不同的杂质获得 n 型或者 p 型半导体晶体材料。 这些晶体具有原子序数大、电阻率高、载流子迁移率寿命积大、光吸收系数好等特点，可用于室温辐射探测器、太阳能电池、法拉第磁性器件等领域。 本文介绍了 II-VI 族多元化合物半导体晶体的结构和物理性质，结合生长方法综述了晶体生长的研究进展，分析讨论了器件的主要应用，并展望了该类晶体材料未来的发展方向。